焊使用工具將導線施加到微芯片上時對其產生壓力。將導線牢固地固定到位后，將超聲波能量施加到表面上，并在多個區域中建立牢固的結合。楔形鍵合所需的時間幾乎是類似球形鍵合所需時間的兩倍，但它也被認為是更穩定的連接，并且可以用鋁或其他幾種合金和金屬來完成。不建議業余愛好者在未獲得適當指導的情況下嘗試進行球焊或楔焊，因為焊線的敏感性和損壞電路的風險。已開發的技術使這兩個過程都可以完全自動化，并且幾乎不再需要手工完成引線鍵合。蕞終結果是實現了更加精確的連接，這種連接往往比傳統的手工引線鍵合方法產生的連接要持久。 晶圓鍵合系統EVG501可以用于學術界和工業研究。絕緣體上硅鍵合機當地價格

EVG&reg;501鍵合機特征：獨特的壓力和溫度均勻性；兼容EVG機械和光學對準器；靈活的研究設計和配置；從單芯片到晶圓；各種工藝（共晶，焊料，TLP，直接鍵合）；可選的渦輪泵（<1E-5mbar）；可升級用于陽極鍵合；開室設計，易于轉換和維護；兼容試生產，適合于學校、研究所等；開室設計，易于轉換和維護；200mm鍵合系統的ZUI小占地面積：0.8平方米；程序與EVG的大批量生產鍵合系統完全兼容。EVG&reg;501鍵合機技術數據ZUI大接觸力為20kN加熱器尺寸150毫米200毫米ZUI小基板尺寸單芯片100毫米真空標準：0.1毫巴可選：1E-5mbar EVG560鍵合機微流控應用自動晶圓鍵合機系統EVG?560，擁有多達4個鍵合室，能滿足各種鍵合操作；可以自動裝卸鍵合室和冷卻站。

EVG®620BA鍵合機選件 自動對準 紅外對準，用于內部基板鍵對準 NanoAlign®包增強加工能力 可與系統機架一起使用 掩模對準器的升級可能性 技術數據 常規系統配置 桌面 系統機架：可選 隔振：被動 對準方法 背面對準：±2μm3σ 透明對準：±1μm3σ 紅外校準：選件 對準階段 精密千分尺：手動 可選：電動千分尺 楔形補償：自動 基板/晶圓參數 尺寸：2英寸，3英寸，100毫米，150毫米 厚度：0.1-10毫米 ZUI高堆疊高度：10毫米 自動對準 可選的 處理系統 標準：3個卡帶站 可選：ZUI多5個站 

EVG®510鍵合機特征 獨特的壓力和溫度均勻性 兼容EVG機械和光學對準器 靈活的設計和配置，用于研究和試生產 將單芯片形成晶圓 各種工藝（共晶，焊料，TLP，直接鍵合） 可選的渦輪泵（<1E-5mbar） 可升級用于陽極鍵合 開室設計，易于轉換和維護 生產兼容 高通量，具有快速加熱和泵送規格 通過自動楔形補償實現高產量 開室設計，可快速轉換和維護 200mm鍵合系統的蕞小占地面積：0.8m2 程序與EVG的大批量生產鍵合系統完全兼容 技術數據 蕞/大接觸力 10、20、60kN 加熱器尺寸150毫米200毫米 蕞小基板尺寸單芯片100毫米 真空 標準：0.1毫巴 可選：1E-5mbar 根據鍵合機型號和加熱器尺寸，EVG500系列鍵合機可以用于碎片50 mm到300 mm尺寸的晶圓。

根據型號和加熱器尺寸，EVG500系列鍵合機可以用于碎片和50mm至300mm的晶圓。這些工具的靈活性非常適合中等批量生產、研發，并且可以通過簡單的方法進行大批量生產，因為鍵合程序可以轉移到EVGGEMINI大批量生產系統中。鍵合室配有通用鍵合蓋，可快速排空，快速加熱和冷卻。通過控制溫度，壓力，時間和氣體，允許進行大多數鍵合過程。也可以通過添加電源來執行陽極鍵合。對于UV固化黏合劑，可選的鍵合室蓋具有UV源。鍵合可在真空或受控氣體條件下進行。頂部和底部晶片的獨力溫度控制補償了不同的熱膨脹系數，從而實現無應力黏合和出色的溫度均勻性。在不需要重新配置硬件的情況下，可以在真空下執行SOI/SDB（硅的直接鍵合）預鍵合。 EVG 晶圓鍵合機上的鍵合過程是怎么樣的呢？山東晶圓鍵合機

晶圓鍵合機（系統）EVG?510 ，擁有150、200mm晶圓單腔系統 ；擁有EVG?501 鍵合機所有功能。絕緣體上硅鍵合機當地價格

EVG®850LTSOI和直接晶圓鍵合的自動化生產鍵合系統 用途：自動化生產鍵合系統，適用于多種熔融/分子晶圓鍵合應用 特色 技術數據 晶圓鍵合是SOI晶圓制造工藝以及晶圓級3D集成的一項關鍵技術。借助用于機械對準SOI的EVG850LT自動化生產鍵合系統以及具有LowTemp?等離子活化的直接晶圓鍵合，熔融了熔融的所有基本步驟-從清潔，等離子活化和對準到預鍵合和IR檢查。因此，經過實踐檢驗的行業標準EVG850 LT確保了高達300mm尺寸的無空隙SOI晶片的高通量，高產量生產工藝。絕緣體上硅鍵合機當地價格