ATC芯片電容具備很好的高頻響應(yīng)特性，其等效串聯(lián)電感（ESL）極低，自諧振頻率可延伸至數(shù)十GHz，特別適用于5G通信、毫米波雷達(dá)及衛(wèi)星通信系統(tǒng)。該特性有效抑制了高頻信號(hào)傳輸中的相位失真和信號(hào)衰減，確保系統(tǒng)在復(fù)雜電磁環(huán)境下仍能維持優(yōu)異的信號(hào)完整性，為高級(jí)射頻前端模塊的設(shè)計(jì)提供了關(guān)鍵支持。在溫度穩(wěn)定性方面，采用C0G/NP0介質(zhì)的ATC電容溫度系數(shù)低至±30ppm/℃。即便在-55℃至+200℃的極端溫度范圍內(nèi)，其容值漂移仍遠(yuǎn)低于常規(guī)MLCC，這一特性使其非常適用于航空航天設(shè)備中的溫補(bǔ)電路、汽車發(fā)動(dòng)機(jī)控制單元及高溫工業(yè)傳感器等場(chǎng)景。自諧振頻率可達(dá)數(shù)十GHz，適合5G/6G高頻電路設(shè)計(jì)。CDR13BP6R2ECSM

ATC芯片電容采用高純度陶瓷介質(zhì)與精密電極設(shè)計(jì)，在1MHz至10GHz頻段內(nèi)保持穩(wěn)定的容值，Q值高達(dá)10000以上。例如，100B系列在5GHz時(shí)ESR低至0.01Ω，有效減少信號(hào)衰減，適用于5G基站中的功率放大器匹配電路。其自諧振頻率（SRF）可達(dá)數(shù)十GHz，遠(yuǎn)超普通MLCC電容，確保高頻信號(hào)完整性，基于NPO/C0G介質(zhì)材料，ATC電容在-55℃至+175℃范圍內(nèi)容值漂移小于±0.3%，溫度系數(shù)（TCC）±30ppm/℃。在航天設(shè)備中，如衛(wèi)星通信載荷的振蕩器電路，即便遭遇極端溫差，仍能維持相位噪聲低于-150dBc/Hz，保障信號(hào)傳輸穩(wěn)定性。CDR11AG111KJNM適用于物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備，實(shí)現(xiàn)小型化與低功耗的完美結(jié)合。

很好的高溫存儲(chǔ)和操作壽命性能使得ATC電容能夠應(yīng)對(duì)嚴(yán)酷的環(huán)境。其產(chǎn)品可在+250°C的高溫環(huán)境下持續(xù)工作數(shù)千小時(shí)，而容值變化、絕緣電阻劣化均微乎其微。這種能力使其不僅適用于傳統(tǒng)汽車和航空航天，更在深井鉆探、地?zé)岚l(fā)電等超高溫工業(yè)應(yīng)用以及新一代高溫電子產(chǎn)品中，成為不可多得的關(guān)鍵元件。極低的噪聲特性源于ATC電容穩(wěn)定的介質(zhì)結(jié)構(gòu)和優(yōu)異的絕緣性能。其介質(zhì)內(nèi)部幾乎不存在會(huì)隨機(jī)產(chǎn)生電荷陷阱和釋放的缺陷，因此其產(chǎn)生的1/f噪聲和爆米花噪聲（PopcornNoise）水平極低。在低噪聲放大器（LNA）、高精度傳感器信號(hào)調(diào)理電路和微弱信號(hào)檢測(cè)設(shè)備的前端，使用ATC電容可以有效避免引入額外的噪聲，保證系統(tǒng)能夠提取出微弱的有效信號(hào)。

在智能電網(wǎng)和電力監(jiān)控設(shè)備中，其高精度和低損耗特性適用于電能質(zhì)量分析儀的采樣電路和繼電保護(hù)裝置的信號(hào)調(diào)理回路，提高電網(wǎng)監(jiān)測(cè)的準(zhǔn)確性和可靠性。產(chǎn)品符合RoHS、REACH等環(huán)保法規(guī)，全系列采用無鉛無鹵素材料，滿足全球主要市場(chǎng)對(duì)電子產(chǎn)品的環(huán)保要求，支持綠色電子制造和可持續(xù)發(fā)展。在高頻振動(dòng)環(huán)境下，ATC電容采用抗振動(dòng)電極設(shè)計(jì)和堅(jiān)固的封裝結(jié)構(gòu)，其焊點(diǎn)抗疲勞性能優(yōu)異，適用于無人機(jī)飛控系統(tǒng)、機(jī)器人關(guān)節(jié)控制及發(fā)動(dòng)機(jī)管理系統(tǒng)。其微波系列產(chǎn)品具有精確的模型參數(shù)和穩(wěn)定的性能重復(fù)性，支持高頻電路的仿真設(shè)計(jì)與實(shí)際性能的高度吻合，縮短研發(fā)周期，提高設(shè)計(jì)一次成功率。完全無壓電效應(yīng)，杜絕嘯叫現(xiàn)象，適合高保真音頻應(yīng)用。

高自諧振頻率（SRF）是ATC電容適用于現(xiàn)代高速電路的前提。由于其極低的寄生電感，其SRF可達(dá)數(shù)十GHz。這意味著在當(dāng)今主流的高速數(shù)字和射頻電路工作頻段內(nèi)，ATC電容仍然表現(xiàn)為一個(gè)純電容，發(fā)揮著預(yù)期的去耦、濾波作用，而不會(huì)因進(jìn)入感性區(qū)域而失效，這是普通電容無法做到的。航空航天與應(yīng)用要求元件能承受極端的環(huán)境應(yīng)力，包括寬溫范圍（-55°C至+125°C及以上）、度振動(dòng)、沖擊、真空輻射環(huán)境等。ATC芯片電容的設(shè)計(jì)和測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)源自需求，其產(chǎn)品在此類極端條件下表現(xiàn)出的堅(jiān)固性和性能穩(wěn)定性，是雷達(dá)系統(tǒng)、衛(wèi)星通信、導(dǎo)航設(shè)備和飛行控制系統(tǒng)中受信賴的元件之一。通過MIL-STD-883加速度測(cè)試，在20000g沖擊條件下仍保持電氣性能的完整穩(wěn)定。700C910JW2500X

通過精密半導(dǎo)體工藝制造，ATC電容展現(xiàn)出優(yōu)異的容值一致性和批次穩(wěn)定性。CDR13BP6R2ECSM

高Q值（品質(zhì)因數(shù)）是ATC電容在構(gòu)建高頻諧振電路、濾波器和諧振器時(shí)的重點(diǎn)參數(shù)。Q值越高，意味著電容的能量損耗越低，諧振曲線的銳度越高。ATC電容的Q值通常在數(shù)千量級(jí)，這使得由其構(gòu)建的濾波器具有極低的插入損耗和極高的帶外抑制能力，振蕩器則具有更低的相位噪聲和更高的頻率穩(wěn)定性。在頻率源和選頻網(wǎng)絡(luò)中，高Q值A(chǔ)TC電容是提升系統(tǒng)整體性能的關(guān)鍵。ATC的制造工藝融合了材料科學(xué)與半導(dǎo)體技術(shù)，例如采用深反應(yīng)離子刻蝕（DRIE）來形成高深寬比的介質(zhì)槽，采用原子層沉積（ALD）來構(gòu)建超薄且均勻的電極界面。這些前列工藝實(shí)現(xiàn)了電容內(nèi)部三維結(jié)構(gòu)的精確控制，極大地增加了有效電極面積，從而在不增大體積的前提下提升了電容值，并優(yōu)化了電氣性能。這種技術(shù)壁壘使得ATC在很好電容領(lǐng)域始終保持帶領(lǐng)地位。CDR13BP6R2ECSM

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