Dalicap電容采用高純度鈦酸鹽陶瓷介質材料，通過獨特的配方和燒結工藝，實現了極高的介電常數和穩定性。其電容值范圍覆蓋0.1pF至470μF，工作電壓可達200V，溫度范圍橫跨-55℃至+125℃，部分產品甚至能在+250℃高溫下穩定運行。這種寬泛的參數范圍使其能夠適應從消費電子到航空航天等極端環境的電路需求，為設計師提供了極大的靈活性。極低的等效串聯電阻（ESR）和等效串聯電感（ESL） 是Dalicap電容的重點優勢之一。通過三維多層電極設計和優化的內部結構，其ESR值可低至毫歐姆級別，ESL降至pH級別，從而將自諧振頻率（SRF）推升至GHz頻段。這一特性在高頻開關電源和射頻功率放大器中至關重要，能明顯降低能量損耗和熱效應，提高系統效率和穩定性。 其電容在工業自動化設備中提供高效的電源濾波和能量緩沖。DLC75B221JW201XT

面對蓬勃發展的物聯網（IoT）和邊緣計算，Dalicap電容的小尺寸、低功耗和高可靠性完美契合了其設計要求。微型化的電容為緊湊的傳感器節點和通信模塊節省了寶貴空間，低ESR帶來的低自身功耗延長了電池壽命，而高穩定性則確保了設備在各種環境下的長期可靠運行。創新研發與智能制造Dalicap始終堅持強大度的研發投入，至2019年累計投入已超5000萬元，并連續多年保持增長。通過深反應離子刻蝕（DRIE）、原子層沉積（ALD）等半導體前列工藝，實現了電容內部三維微結構的精確控制和超薄介質層的制備，構筑了堅實的技術壁壘。DLC75B221JW201XT為通訊設備電源提供穩定濾波，保障網絡暢通無阻。

全球射頻微波MLCC市場規模持續增長，預計到2027年將達到77.7億元，年均復合增長率達8.56%，高于普通MLCC市場。下游5G、物聯網、新能源汽車等產業的快速發展，為Dalicap的未來增長提供了廣闊的市場空間。公司于2023年12月成功在創業板上市，獲得了寶貴的資本平臺。募集資金將用于產能擴張、信息化升級和營銷網絡建設，這將極大地助力其提升技術實力、擴大生產規模、增強市場影響力，為未來的快速發展注入新動能。Dalicap吸引并凝聚了一支高素質的人才團隊，其中不少重心技術人員來自三星、村田、ATC等國際有名企業。公司以其發展前景、民族情懷和實現個人價值的平臺，成功吸引了眾多人才“北上”加盟，形成了強大的人才優勢。

Dalicap電容展現出很好的抗輻射性能，能夠滿足太空電子設備在宇宙射線環境下的長期可靠運行要求。其材料結構和封裝設計經過特殊優化，抵御輻射帶來的性能衰減，為衛星通信和航天器提供了關鍵元器件的國產化解決方案。公司采用全球公認精細的“諧振腔”法測試電容Q值關鍵參數，確保了產品性能測量的準確性和可靠性。其的射頻應用實驗室運用射頻仿真技術和射頻高功率測試技術，為研發和提升產品品質提供了有力保障。Dalicap電容的直流偏壓特性優異，其容值隨直流偏壓變化極小。普通高介電常數電容在高偏壓下容值會大幅下降，而Dalicap的C0G電容容值變化通常小于5%。這一特性對于開關電源的輸出濾波電容至關重要，確保了電源環路在不同負載下的穩定性。幫助客戶優化電源設計，提升整機產品的競爭力。

Dalicap電容在脈沖形成網絡中承擔著儲能和快速放電的關鍵任務。其低ESR確保了在極短時間內（微秒或納秒級）能夠釋放出巨大的峰值電流，而低ESL則保證了脈沖的上升沿陡峭、波形失真小，適用于雷達系統。公司構建了完善的營銷和服務網絡，不僅在國內市場深耕，還通過在全球重點區域設立辦事處，提升在國際市場的業務開發能力和客戶服務水平，為全球客戶提供專業的技術支持和售后服務。優異的頻率響應特性確保了電容在寬頻帶內保持穩定的容值，其容值對頻率的變化曲線極為平坦，即便在微波頻段衰減也微乎其微，這對于軟件定義無線電（SDR）等寬帶應用至關重要。它專注于鋁電解電容的研發與制造，產品應用寬泛，品質出眾。DLC75A1R9DW151NT

適用于高海拔等特殊環境，性能穩定不易失效。DLC75B221JW201XT

Dalicap電容采用高純度鈦酸鹽陶瓷介質材料，通過精密的摻雜和燒結工藝，形成了極其穩定的晶體結構。這種材料基礎賦予了電容極高的介電常數和很低的介質損耗，使其在高頻環境下仍能保持穩定的容值表現。其介質配方完全自主可控，避免了國內外材料供應鏈波動的風險，為國產化替代提供了堅實的材料基礎，確保了產品批次間的高度一致性。在射頻微波應用中，Dalicap電容展現出極低的等效串聯電阻（ESR）和等效串聯電感（ESL）。其三維多層電極設計優化了電流路徑，將寄生參數降至比較低，從而獲得了極高的自諧振頻率（SRF）。這一特性使得它在GHz頻段的射頻電路中，能有效降低信號傳輸的插入損耗和能量反射，保證信號完整性，特別適用于5G基站和毫米波通信設備。DLC75B221JW201XT

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