（二）按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅?？煽毓栝_關(guān)（三）按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。（四）按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、**率可控硅和小功率可控硅三種。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝?？煽毓枘K通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊（semiconductor module）。張家港本地可控硅模塊品牌

這個實(shí)驗(yàn)告訴我們，要使晶閘管導(dǎo)通，一是在它的陽極A與陰極K之間外加正向電壓，二是在它的控制極G與陰極K之間輸入一個正向觸發(fā)電壓。晶閘管導(dǎo)通后，松開按鈕開關(guān)，去掉觸發(fā)電壓，仍然維持導(dǎo)通狀態(tài)。晶閘管特點(diǎn)“一觸即發(fā)”。但是，如果陽極或控制極外加的是反向電壓，晶閘管就不能導(dǎo)通?？刂茦O的作用是通過外加正向觸發(fā)脈沖使晶閘管導(dǎo)通，卻不能使它關(guān)斷。那么，用什么方法才能使導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷呢?使導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷，可以斷開陽極電源（圖3中的開關(guān)S）或使陽極電流小于維持導(dǎo)通的最小值（稱為維持電流）。如果晶閘管陽極和陰極之間外加的是交流電壓或脈動直流電壓，那么，在電壓過零時，晶閘管會自行關(guān)斷。吳中區(qū)本地可控硅模塊銷售廠家可控硅的弱點(diǎn)：靜態(tài)及動態(tài)的過載能力較差；容易受干擾而誤導(dǎo)通。

2、性能的差別：將旋鈕撥至R×1擋，對于1~6A單向可控硅，紅筆接K極，黑筆同時接通G、A極，在保持黑筆不脫離A極狀態(tài)下斷開G極，指針應(yīng)指示幾十歐至一百歐，此時可控硅已被觸發(fā)，且觸發(fā)電壓低（或觸發(fā)電流小）。然后瞬時斷開A極再接通，指針應(yīng)退回∞位置，則表明可控硅良好。?對于1~6A雙向可控硅，紅筆接T1極，黑筆同時接G、T2極，在保證黑筆不脫離T2極的前提下斷開G極，指針應(yīng)指示為幾十至一百多歐（視可控硅電流大小、廠家不同而異）。然后將兩筆對調(diào)，重復(fù)上述步驟測一次，指針指示還要比上一次稍大十幾至幾十歐，則表明可控硅良好，且觸發(fā)電壓（或電流）小。?

1、柵極上的噪聲電平在有電噪聲的環(huán)境中，如果柵極上的噪聲電壓超過VGT，并有足夠的柵電流激發(fā)可控硅(晶閘管)內(nèi)部的正反饋，則也會被觸發(fā)導(dǎo)通。應(yīng)用安裝時，首先要使柵極外的連線盡可能短。當(dāng)連線不能很短時，可用絞線或屏蔽線來減小干擾的侵入。在然后G與MT1之間加一個1KΩ的電阻來降低其靈敏度，也可以再并聯(lián)一個100nf的電容，來濾掉高頻噪聲。2、關(guān)于轉(zhuǎn)換電壓變化率當(dāng)驅(qū)動一個大的電感性負(fù)載時，在負(fù)載電壓和電流間有一個很大的相移。當(dāng)負(fù)載電流過零時，雙向可控硅(晶閘管)開始換向，但由于相移的關(guān)系，電壓將不會是零。所以要求可控硅(晶閘管)要迅速關(guān)斷這個電壓。如果這時換向電壓的變化超過允許值時，就沒有足夠的時間使結(jié)間的電荷釋放掉，而被迫使雙向可控硅(晶閘管)回到導(dǎo)通狀態(tài)。可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍；

功率半導(dǎo)體模塊就是按一定功能、模式的組合體，功率半導(dǎo)體模塊是大功率電子電力器件按一定的功能組合再灌封成一體。功率半導(dǎo)體模塊可根據(jù)封裝的元器件的不同實(shí)現(xiàn)不同功能，功率半導(dǎo)體模塊配用風(fēng)冷散熱可作風(fēng)冷模塊，配用水冷散熱可作水冷模塊等。功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(功率mosfet，常簡寫為功率mos)、絕緣柵雙極晶體管(igbt)以及功率集成電路(power ic，常簡寫為pic)為主。這些器件或集成電路能在很高的頻率下工作，而電路在高頻工作時能更節(jié)能、節(jié)材，能大幅減少設(shè)備體積和重量。尤其是集成度很高的單片片上功率系統(tǒng)(power system on a chip，簡寫psoc)，它能把傳感器件與電路、信號處理電路、接口電路、功率器件和電路等集成在一個硅芯片上，使其具有按照負(fù)載要求精密調(diào)節(jié)輸出和按照過熱、過壓、過流等情況自我進(jìn)行保護(hù)的智能功能。國際**把它的發(fā)展喻為第二次電子學(xué)**?？煽毓铻槭裁雌溆小耙孕】卮蟆钡目煽匦阅?？下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理。相城區(qū)本地可控硅模塊量大從優(yōu)

可控硅和其它半導(dǎo)體器件一樣，其有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)。張家港本地可控硅模塊品牌

性能的差別將旋鈕撥至R×1擋，對于1~6A單向可控硅，紅筆接K極，黑筆同時接通G、A極，在保持黑筆不脫離A極狀態(tài)下斷開G極，指針應(yīng)指示幾十歐至一百歐，此時可控硅已被觸發(fā)，且觸發(fā)電壓低（或觸發(fā)電流?。?。然后瞬時斷開A極再接通，指針應(yīng)退回∞位置，則表明可控硅良好。對于1~6A雙向可控硅，紅筆接T1極，黑筆同時接G、T2極，在保證黑筆不脫離T2極的前提下斷開G極，指針應(yīng)指示為幾十至一百多歐（視可控硅電流大小、廠家不同而異）。然后將兩筆對調(diào)，重復(fù)上述步驟測一次，指針指示還要比上一次稍大十幾至幾十歐，則表明可控硅良好，且觸發(fā)電壓（或電流）小。張家港本地可控硅模塊品牌

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