LPCVD加熱系統是用于提供反應所需的高溫的部分，通常由電阻絲或鹵素燈組成。溫度控制系統是用于監測和調節反應室內溫度的部分，通常由溫度傳感器和控制器組成。壓力控制系統是用于監測和調節反應室內壓力的部分，通常由壓力傳感器和控制器組成。流量控制系統是用于監測和調節氣體前驅體的流量的部分，通常由流量計和控制器組成。LPCVD設備的設備構造還需要考慮以下幾個方面的因素：（1）反應室的形狀和尺寸，影響了氣體在反應室內的流動和分布，從而影響了薄膜的均勻性和質量；（2）反應室的材料和表面處理，影響了反應室壁面上沉積的材料和顆粒污染，從而影響了薄膜的純度和清洗頻率；（3）襯底的放置方式和數量，影響了襯底之間的間距和方向，從而影響了薄膜的厚度和均勻性；（4）加熱方式和溫度分布，影響了襯底材料的熱損傷和熱預算，從而影響了薄膜的結構和性能。鍍膜過程需在高度真空環境中進行。南京新型真空鍍膜

LPCVD設備中的薄膜材料的質量和性能可以通過多種方法進行表征和評價。常見的表征和評價方法有以下幾種：（1）厚度測量法，是指通過光學或電子手段來測量薄膜的厚度，如橢圓偏振儀、納米壓痕儀、電子顯微鏡等；（2）成分分析法，是指通過光譜或質譜手段來分析薄膜的化學成分，如X射線光電子能譜（XPS）、二次離子質譜（SIMS）、原子發射光譜（AES）等；（3）結構表征法，是指通過衍射或散射手段來表征薄膜的晶體結構，如X射線衍射（XRD）、拉曼光譜（Raman）、透射電子顯微鏡（TEM）等；（4）性能測試法，是指通過電學或力學手段來測試薄膜的物理性能，如電阻率、介電常數、硬度、應力等。磁控濺射真空鍍膜工藝鍍膜后的零件具有優異的導電性能。

磁控濺射方向性要優于電子束蒸發，但薄膜質量，表面粗糙度等方面不如電子束蒸發。但磁控濺射可用于多種材料，適用性廣，電子束蒸發則只能用于金屬材料蒸鍍，且高熔點金屬，如W，Mo等的蒸鍍較為困難。所以磁控濺射常用于新型氧化物，陶瓷材料的鍍膜，電子束則用于對薄膜質量較高的金屬材料沉積源是真空鍍膜技術中另一個必不可少的設備。襯底支架是用于在沉積過程中將襯底固定到位的裝置。基板支架可以有不同的配置，例如行星式、旋轉式或線性平移，具體取決于應用要求。沉積源的選擇取決于涂層應用的具體要求，例如涂層材料、沉積速率和涂層質量。

影響靶中毒的因素主要是反應氣體和濺射氣體的比例，反應氣體過量就會導致靶中毒。反應濺射工藝進行過程中靶表面濺射溝道區域內出現被反應生成物覆蓋或反應生成物被剝離而重新暴露金屬表面此消彼長的過程。如果化合物的生成速率大于化合物被剝離的速率，化合物覆蓋面積增加。在一定功率的情況下，參與化合物生成的反應氣體量增加，化合物生成率增加。如果反應氣體量增加過度，化合物覆蓋面積增加，如果不能及時調整反應氣體流量，化合物覆蓋面積增加的速率得不到抑制，濺射溝道將進一步被化合物覆蓋，當濺射靶被化合物全部覆蓋的時候，靶完全中毒。鍍膜層可賦予材料特定的顏色效果。

電介質在集成電路中主要提供器件、柵極和金屬互連間的絕緣，選擇的材料主要是氧化硅和氮化硅等。氧化硅薄膜可以通過熱氧化、化學氣相沉積和原子層沉積法的方法獲得。如果按照壓力來區分的話，熱氧化一般為常壓氧化工藝，快速熱氧化等?；瘜W氣相沉積法一般有低壓化學氣相沉積氧化工藝，半大氣壓氣相沉積氧化工藝，增強等離子體化學氣相層積等。在熱氧化工藝中，主要使用的氧源是氣體氧氣、水等，而硅源則是單晶硅襯底或多晶硅、非晶硅等。氧氣會消耗硅（Si），多晶硅（Poly）產生氧化，通常二氧化硅的厚度會消耗0.54倍的硅，而消耗的多晶硅則相對少些。這個特性決定了熱氧化工藝只能應用在側墻工藝形成之前的氧化硅薄膜中。反應氣體過量就會導致靶中毒。上海真空鍍膜廠

真空鍍膜技術一般分為兩大類，即物理的氣相沉積技術和化學氣相沉積技術。南京新型真空鍍膜

電子束真空鍍膜的物理過程：物理的氣相沉積技術的基本原理可分為三個工藝步驟：（1）電子束激發鍍膜材料金屬顆粒的氣化：即鍍膜材料的蒸發、升華從而形成氣化源，（2）鍍膜材料粒子（（原子、分子或離子）的遷移：由氣化源供出原子、分子或離子（原子團、分子團或離子團）經過碰撞，產生多種反應。（3）鍍膜材料粒子在基片表面的沉積。LPCVD反應的能量源是熱能，通常其溫度在500℃-1000℃之間，壓力在0.1Torr-2Torr以內，影響其沉積反應的主要參數是溫度、壓力和氣體流量，它的主要特征是因為在低壓環境下，反應氣體的平均自由程及擴散系數變大，膜厚均勻性好、臺階覆蓋性好。目前采用LPCVD工藝制作的主要材料有：多晶硅、單晶硅、非晶硅、氮化硅等。南京新型真空鍍膜