核聚變托克馬克裝置的偏濾器絕緣件，需承受兆瓦級熱負荷與等離子體沖刷，采用硼化鈦（TiB?）陶瓷經熱等靜壓燒結。在 1800℃、200MPa 氬氣氛圍中燒結 6 小時，致密度達 99.5% 以上，抗熱震性（ΔT=1000℃）循環次數≥50 次。加工時使用電火花磨削技術，在 10mm 厚板材上制作 0.5mm 深的冷卻溝槽，槽壁粗糙度 Ra≤0.8μm，配合微通道釬焊工藝（釬焊溫度 950℃）嵌入銅冷卻管，熱導率達 200W/(m?K)。成品在 10MW/m2 熱流密度下，表面溫度≤800℃，且體積電阻率≥10?Ω?cm，同時通過 10?次等離子體脈沖轟擊測試（能量 100eV），腐蝕速率≤0.1μm / 次，為核聚變堆的邊界等離子體控制提供關鍵絕緣部件。絕緣加工件的槽道設計合理，便于導線穿插，提高設備組裝效率。精密加工件生產

在高頻電子設備中，絕緣加工件的介電性能至關重要，聚四氟乙烯（PTFE）加工件憑借≤2.1 的介電常數和≤0.0002 的介質損耗，成為微波器件的較好選擇材料。加工時需采用冷壓燒結工藝，將粉末在 30MPa 壓力下預成型，再經 380℃高溫燒結成整體，避免傳統注塑工藝產生的內應力。制成的絕緣子在 10GHz 頻率下，信號傳輸損耗≤0.1dB/cm，且具有 - 190℃至 260℃的寬溫適應性，即便在極寒的衛星通訊設備或高溫的雷達發射機中，也能保證電磁波的無失真傳輸。?杭州醫療器械精密加工件批發注塑加工件的加強肋分布均勻，有效提升抗彎曲變形能力。

核工業乏燃料處理的絕緣加工件，需耐受強輻射與核廢料腐蝕，選用玄武巖纖維增強鎂橄欖石陶瓷。通過熱壓燒結工藝（溫度 1200℃，壓力 30MPa）制備，使材料耐輻射劑量達 102?n/cm2，在硝酸（濃度 8mol/L）中浸泡 30 天后，質量損失率≤1%。加工時采用超聲振動切削技術，在 10mm 厚板材上加工 0.3mm 寬的微流道，表面粗糙度 Ra≤1.6μm，避免放射性廢液殘留。成品在乏燃料后處理池中，可承受 100℃高溫與 0.1MPa 流體壓力，體積電阻率維持在 1011Ω?cm 以上，同時通過 10 年長期輻照測試，力學性能保留率≥85%，為核廢料分離設備提供安全絕緣保障。

半導體封裝用注塑加工件，需達到 Class 10 級潔凈標準，選用環烯烴共聚物（COC）與氣相二氧化硅復合注塑。將 5% 疏水型二氧化硅（比表面積 300m2/g）混入 COC 粒子，通過真空干燥（溫度 80℃，時間 24h）去除水分，再經熱流道注塑（模具溫度 120℃，注射壓力 150MPa）成型，制得粒子析出量≤0.1 個 /ft2 的封裝載體。加工時采用激光微雕技術，在 0.2mm 厚薄膜上雕刻出精度 ±2μm 的導電路徑槽，槽壁粗糙度 Ra≤0.1μm，避免金屬化過程中產生毛刺。成品在 150℃真空環境中放氣率≤1×10??Pa?m3/s，且通過 1000 次熱循環（-40℃~125℃）測試，翹曲量≤50μm，滿足高級芯片封裝的高精度與低污染要求。注塑加工件的凹槽設計便于線纜理線，提升電子產品內部整潔度。

半導體晶圓傳輸注塑加工件采用靜電耗散型 POM（聚甲醛）與碳納米管復合注塑。添加 5% 碳納米管（直徑 10nm）通過雙螺桿擠出（溫度 200℃，轉速 300rpm）實現均勻分散，使表面電阻穩定在 10?-10?Ω，摩擦起電量≤0.1μC。加工時運用微注塑技術，在 1mm 厚載具上成型精度 ±3μm 的 V 型槽，槽面經等離子體刻蝕（功率 150W，時間 60s）后粗糙度 Ra≤0.05μm，避免晶圓劃傷。成品在 Class 10 潔凈室環境中，粒子脫落量≤0.05 個 / 小時，且通過 1000 次晶圓傳輸循環測試，接觸電阻波動≤3mΩ，滿足 12 英寸晶圓的高精度、低靜電傳輸要求。耐溫注塑件選用 PPS 材料，可在 220℃高溫環境中持續工作。精密加工件生產

絕緣加工件可根據客戶圖紙定制，滿足不同規格的電氣絕緣需求。精密加工件生產

石油勘探井下的絕緣加工件，需抵抗超高壓與強酸堿腐蝕，選用聚醚砜（PES）與碳化鎢顆粒復合注塑成型。在原料中添加 30% 碳化鎢（粒徑 5μm），通過雙螺桿擠出機（溫度 360℃，轉速 300rpm）實現均勻分散，制得抗壓強度≥200MPa 的絕緣件。加工時采用高壓注塑工藝（注射壓力 180MPa），使制品孔隙率≤0.05%，配合電火花加工制作深徑比 10:1 的密封槽，槽底圓角半徑≤0.1mm。成品在 150℃、150MPa 井下壓力環境中，耐 20% 鹽酸溶液腐蝕 1000 小時后，質量損失率≤0.5%，且絕緣電阻≥1012Ω，確保隨鉆測井儀器在復雜工況下的信號傳輸穩定。精密加工件生產