NPN 型小功率三極管的 重要價值在于電流放大，其原理基于載流子的定向運動與分配。當滿足導通偏置時，發射區大量自由電子注入基區，因基區薄且摻雜少，大部分自由電子（約 95% 以上）未與空穴復合，被集電結反向電場拉入集電區，形成集電極電流（IC）；少量自由電子（約 5% 以下）與基區空穴復合，需基極提供電流補充空穴，形成基極電流（IB）。此時 IC 與 IB 成固定比例，即電流放大系數 β=IC/IB（小功率管 β 通常 20-200），微小的 IB 變化會引發 IC 大幅變化，例如 IB 從 10μA 增至 20μA，β=100 時，IC 會從 1mA 增至 2mA，實現電流放大。硅管禁帶寬度約 1.1eV，常溫下 ICBO 通常小于 10nA，漏電流小。華南地區NPN型晶體三極管耐壓100v

共基放大電路以基極接地，輸入信號加在 EB 間，輸出信號從 CB 間取出。NPN 型小功率管在該電路中工作在放大區，優勢是頻率響應好（上限截止頻率高），因基極接地減少了極間電容的影響，適合高頻信號放大；缺點是電流放大倍數 < 1（Ai≈α<1，α=IC/IE），輸入電阻小。常用于高頻通信、射頻電路，如收音機的中頻放大電路、手機的射頻信號預處理電路。例如在FM 收音機，共基電路將調諧后的高頻信號（10.7MHz）放大，同時避免高頻信號因極間電容衰減，保證接收靈敏度。科研領域高精度NPN型晶體三極管散熱片設計固定偏置電路簡單，穩定性差，適合負載和溫度變化小的場景。

在實際電路設計中，選擇合適的 NPN 型小功率晶體三極管需要綜合考慮多方面因素，確保所選三極管能夠滿足電路的性能要求。首先，根據電路的工作電流確定集電極最大允許電流 ICM，必須保證電路中集電極的最大工作電流小于 ICM；其次，根據電路的工作電壓確定反向擊穿電壓，特別是集電極 - 發射極反向擊穿電壓 V (BR) CEO，要確保電路中的電源電壓和動態電壓峰值不超過 V (BR) CEO；然后，根據電路的功耗要求確定集電極最大允許功耗 PCM，通過計算三極管的實際功耗（PC=IC×VCE），確保 PC 小于 PCM，必要時可考慮加裝散熱片；另外，根據電路的放大需求選擇合適的電流放大系數 β，對于放大電路，需要選擇 β 值

NPN 型小功率晶體三極管的輸入特性曲線是描述基極電流（IB）與基極 - 發射極電壓（VBE）之間關系的曲線，通常在固定集電極 - 發射極電壓（VCE）的條件下測繪。對于硅材料的 NPN 型小功率三極管，當 VCE 大于 1V 時，輸入特性曲線基本重合，曲線形狀與二極管的正向伏安特性相似。在 VBE 較小時，IB 幾乎為零，這個區域被稱為死區，硅管的死區電壓約為 0.5V；當 VBE 超過死區電壓后，IB 隨著 VBE 的增加而快速增大，且近似呈指數關系增長，此時 VBE 基本穩定在 0.6-0.7V 的范圍內，這一特性在電路設計中具有重要意義，例如在共射放大電路中，常利用這一特性設置合適的靜態工作點，確保輸入信號在整個周期內都能被有效放大，避免出現截止失真。低頻管如 9014，fT 約 150MHz；高頻管如 S9018，fT 可達 1GHz 以上。

ICEO 是基極開路時集電極 - 發射極反向電流，ICEO≈(1+β) ICBO，因 β 和 ICBO 均隨溫度升高而增大，ICEO 的溫度敏感性極強，會導致電路靜態電流增大，功耗上升。抑制 ICEO 的方法：一是選擇 ICBO 小的硅管，硅管 ICBO 遠小于鍺管；二是在基極與地之間接泄放電阻 RB，使 IB=ICEO/(1+β)，減小 ICEO 對 IC 的影響；三是采用分壓式偏置電路，通過 RE 的負反饋穩定 IC。例如在高精度電流源電路中，基極接 100kΩ 泄放電阻，當 ICEO=10μA（β=100）時，IB=0.1μA，對 IC 的影響可忽略不計，確保電流源輸出穩定。溫度升高 1℃，VBE 下降 2-2.5mV，二極管正向壓降也同幅下降。特殊封裝NPN型晶體三極管散熱片設計

共基電路輸入阻抗低、輸出阻抗高，適合做電流緩沖器。華南地區NPN型晶體三極管耐壓100v

常見故障有：一是三極管燒毀，多因 IC 超過 ICM、PC 超過 PCM 或 VCE 超過 V (BR) CEO，排查時用萬用表測 CE 間電阻，若為 0Ω（短路）或無窮大（開路），說明燒毀，需更換參數匹配的三極管；二是放大能力下降，表現為輸出信號幅度減小，測 β 值若明顯低于標稱值，需更換三極管；三是開關失控，導通時 CE 壓降過大（未飽和），需增大 IB（減小 RB），截止時 IC 過大（漏電），需更換質量合格的三極管；四是溫度漂移，IC 隨溫度升高而增大，需增加溫度補償電路（如在 RB 旁并聯負溫度系數熱敏電阻）。華南地區NPN型晶體三極管耐壓100v

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