38、PLCC（plastic leaded chip carrier）帶引線的塑料芯片載體。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝的四個側面引出，呈丁字形，是塑料制品。美國德克薩斯儀器公司首先在64k位DRAM和256kDRAM中采用，90年代已經普及用于邏輯LSI、DLD（或程邏輯器件電路。引腳中心距1.27mm，引腳數從18到84。J形引腳不易變形，比QFP容易操作，但焊接后的外觀檢查較為困難。PLCC與LCC（也稱QFN）相似。以前，兩者的區別*在于前者用塑料，后者用陶瓷。但現在已經出現用陶瓷制作的J形引腳封裝和用塑料制作的無引腳封裝（標記為塑料LCC、PC LP、P－LCC等），已經無法分辨。為此，日本電子機械工業會于1988年決定，把從四側引出J形引腳的封裝稱為QFJ，把在四側帶有電極凸點的封裝稱為QFN（見QFJ和QFN）。電壓測量或用示波器探頭測試波形時，避免造成引腳間短路，在與引腳直接連通的印刷電路上進行測量。江蘇質量集成電路圖片

球形觸點陣列，表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陣列方式制作出球形凸點用以代替引腳，在印刷基板的正面裝配LSI芯片，然后用模壓樹脂或灌封方法進行密封。也稱為凸點陣列載體（PAC）。引腳可超過200，是多引腳LSI 用的一種封裝。封裝本體也可做得比QFP（四側引腳扁平封裝）小。例如，引腳中心距為1.5mm的360引腳BGA*為31mm見方；而引腳中心距為0.5mm的304 引腳QFP為40mm見方。而且BGA不用擔心QFP那樣的引腳變形問題（見有圖所示）。蘇州常見集成電路市價功率集成電路應散熱良好，不允許不帶散熱器而處于大功率的狀態下工作。

外，由于引線的阻抗小，對于高速LSI是很適用的。但由于插座制作復雜，成本高，90年代基本上不怎么使用。預計今后對其需求會有所增加。24、LOC（lead on chip）芯片上引線封裝。LSI封裝技術之一，引線框架的前端處于芯片上方的一種結構，芯片的中心附近制作有凸焊點，用引線縫合進行電氣連接。與原來把引線框架布置在芯片側面附近的結構相比，在相同大小的封裝中容納的芯片達1mm左右寬度。25、LQFP（low profile quad flat package）薄型QFP。指封裝本體厚度為1.4mm的QFP，是日本電子機械工業會根據制定的新QFP外形規格所用的名稱。

6、COB（chip on board）板上芯片封裝，是裸芯片貼裝技術之一，半導體芯片交接貼裝在印刷線路板上，芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實現，芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實現，并用樹脂覆蓋以確保可靠性。雖然COB是**簡單的裸芯片貼裝技術，但它的封裝密度遠不如TAB和倒片焊技術。7、DFP（dual flat package）雙側引腳扁平封裝。是SOP的別稱（見SOP）。以前曾有此稱法，80年代后期已基本上不用。8、DIC（dual in-line ceramic package）陶瓷DIP（含玻璃密封）的別稱（見DIP）錄像機用集成電路有系統控制集成電路、伺服集成電路、驅動集成電路、音頻處理集成電路、視頻處理集成電路。

7、測試儀表內阻要大測量集成電路引腳直流電壓時，應選用表頭內阻大于20KΩ/V的萬用表，否則對某些引腳電壓會有較大的測量誤差。8、要注意功率集成電路的散熱功率集成電路應散熱良好，不允許不帶散熱器而處于大功率的狀態下工作。9、引線要合理如需要加接**元件代替集成電路內部已損壞部分，應選用小型元器件，且接線要合理以免造成不必要的寄生耦合，尤其是要處理好音頻功放集成電路和前置放大電路之間的接地端。例如：肖特基4輸入與非門CT54S20MDC—符合國家標準T—TTL電路54S20—肖特基雙4輸入與非門M—‐55~125℃D—多層陶瓷雙列直插封裝1、BGA（ball grid array）表示帶散熱器的標記。例如，HSOP表示帶散熱器的SOP。惠山區好的集成電路市價

2025年將持續推進集成電路領域標準研制。江蘇質量集成電路圖片

9、DIL（dual in-line）DIP的別稱（見DIP）。歐洲半導體廠家多用此名稱。10、DIP（dual in-line package）雙列直插式封裝。插裝型封裝之一，引腳從封裝兩側引出，封裝材料有塑料和陶瓷兩種。DIP是**普及的插裝型封裝，應用范圍包括標準邏輯IC，存貯器LSI，微機電路等。引腳中心距2.54mm，引腳數從6到64。封裝寬度通常為15.2mm。有的把寬度為7.52mm和10.16mm的封裝分別稱為skinny DIP 和slim DIP（窄體型DIP）。但多數情況下并不加區分，只簡單地統稱為DIP。另外，用低熔點玻璃密封的陶瓷DIP也稱為cerdip（見cerdip）。江蘇質量集成電路圖片

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