大體意義上講，PN結的定義為：采用不同的摻雜工藝，通過擴散作用，將P型半導體與N型半導體制作在同一塊半導體基片上，一般半導體的材料選擇為硅或者鍺，在它們的交界面就形成空間電荷區稱為PN結。具體介紹PN結的形成大體分為三步，首先擴散運動，P區的空穴濃度遠大于N區的自由電子濃度，因此，P區的空穴必然向N區擴散，并與N區中的自由電子復合而消失；同樣，N區的自由電子必然向P區漂移，并與P區中的空穴復合而消失。其次是空間電荷區的產生，擴散運動導致了P區一側失去空穴而留下負離子，N區一側失去電子而留下正離子，這些不能移動的帶電離子稱為空間電荷，相應地這個區域稱為空間電荷區，較后由于有正離子和負離子，這樣在空間電荷區內就會產生一個內電場，內電場的產生讓多子的擴散和少子的漂移達到了一個動態平衡，較后形成了PN結。該肖特基二極管的正向導通電阻低，導通性能佳。山西肖特基二極管廠家供應

13、江崎二極管 （Tunnel Diode）它是以隧道效應電流為主要電流分量的晶體二極管。其基底材料是砷化鎵和鍺。其 P 型區的 N 型區是高摻雜的（即高濃度雜質的）。隧道電流由這些簡并態半導體的量子力學效應所產生的。如發生隧道效應具備如下三個條件：①費米能級位于導帶和滿帶內；②空間電荷層寬度必須很窄（0.01 微米以下）；簡并半導體 P 型區和 N 型區中的空穴和電子在同一能級上有交疊的可能性。江崎二極管為雙端子有源器件。其主要參數有峰谷電流比（IP／PV），其中，下標“P”表示“峰”；而下標“V”表示“谷”。江崎二極管可以被應用于低噪聲高頻放大器及高頻振蕩器中（其工作頻率可達毫米波段），也可以被應用于高速開關電路中。山西肖特基二極管廠家供應肖特基二極管在凱軒業的推動下不斷完善升級。

功率的區分實際上就是電流的區分，大功率就是流過電流大的，小功率就相反，就是流過電流小的。簡單舉個例，如下圖為1N400系列二極管的參數，如下圖可以看出IF為1A，而1N400系列二極管的管壓降為0.7V，P=UI,所以可得為0.7W。所以功率的大小就可以通過上述方式計算可得。較大平均整流電流IF：指二極管長期工作時允許通過的較大正向平均電流。該電流由PN結的結面積和散熱條件決定。使用時應通過二極管的平均電流不能大于此值，并要滿足散熱條件。

早期的二極管也就是半導體的制作工藝是將兩個立體的摻雜材料放在一起高溫熔接而成，現在的二極管和原來相比只是制作工藝更加精確，讓兩個相鄰的不同摻雜區域組合構成，一個區域是在半導體材料中摻入施主原子產生自由電子的n區域，另一個是摻入受主原子形成有自由空穴的p型區域，兩個區域的交界就是二極管的物理結，其電子結包括各區域的狹窄邊緣，稱為耗盡層也就是上面介紹的PN結，二極管的p型區域為正極，n型區域則相反，大體結構圖如下。肖特基二極管選原裝就咨詢深圳市凱軒業科技有限公司。

11、PIN 型二極管（PIN Diode）這是在 P 區和 N 區之間夾一層本征半導體（或低濃度雜質的半導體）構造的晶體二極管。PIN 中的 I 是“本征”意義的英文略語。當其工作頻率超過 100MHz 時，由于少數載流子的存貯效應和“本征”層中的渡越時間效應，其二極管失去整流作用而變成阻抗元件，并且，其阻抗值隨偏置電壓而改變。在零偏置或直流反向偏置時，“本征”區的阻抗很高；在直流正向偏置時，由于載流子注入“本征”區，而使“本征”區呈現出低阻抗狀態。因此，可以把 PIN 二極管作為可變阻抗元件使用。它常被應用于高頻開關（即微波開關）、移相、調制、限幅等電路中。 線性穩壓電源，線性穩壓電源和整流原理：將380VAC轉換為所需的DC。凱軒業電子。山西肖特基二極管廠家供應

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擴散型二極管在高溫的 P 型雜質氣體中，加熱 N 型鍺或硅的單晶片，使單晶片表面的一部變成 P 型，以此法 PN 結。因 PN 結正向電壓降小，適用于大電流整流。較近，使用大電流整流器的主流已由硅合金型轉移到硅擴散型。5、臺面型二極管PN 結的制作方法雖然與擴散型相同，但是，只保留 PN 結及其必要的部分，把不必要的部分用藥品腐蝕掉。其剩余的部分便呈現出臺面形，因而得名。初期生產的臺面型，是對半導體材料使用擴散法而制成的。因此，又把這種臺面型稱為擴散臺面型。對于這一類型來說，似乎大電流整流用的產品型號很少，而小電流開關用的產品型號卻很多。山西肖特基二極管廠家供應