13、江崎二極管 （Tunnel Diode）它是以隧道效應電流為主要電流分量的晶體二極管。其基底材料是砷化鎵和鍺。其 P 型區的 N 型區是高摻雜的（即高濃度雜質的）。隧道電流由這些簡并態半導體的量子力學效應所產生的。如發生隧道效應具備如下三個條件：①費米能級位于導帶和滿帶內；②空間電荷層寬度必須很窄（0.01 微米以下）；簡并半導體 P 型區和 N 型區中的空穴和電子在同一能級上有交疊的可能性。江崎二極管為雙端子有源器件。其主要參數有峰谷電流比（IP／PV），其中，下標“P”表示“峰”；而下標“V”表示“谷”。江崎二極管可以被應用于低噪聲高頻放大器及高頻振蕩器中（其工作頻率可達毫米波段），也可以被應用于高速開關電路中。凱軒業電子變容二極管，只做原裝，歡迎咨詢。浙江廠家直銷變容二極管

2、鍵型二極管鍵型二極管是在鍺或硅的單晶片上熔接或銀的細絲而形成的。其特性介于點接觸型二極管和合金型二極管之間。與點接觸型相比較，雖然鍵型二極管的 PN 結電容量稍有增加，但正向特性特別優良。多作開關用，有時也被應用于檢波和電源整流（不大于 50mA）。在鍵型二極管中，熔接金絲的二極管有時被稱金鍵型，熔接銀絲的二極管有時被稱為銀鍵型。3、合金型二極管在 N 型鍺或硅的單晶片上，通過合金銦、鋁等金屬的方法制作 PN 結而形成的。正向電壓降小，適于大電流整流。因其 PN 結反向時靜電容量大，所以不適于高頻檢波和高頻整流使用變容二極管只做原裝，變容二極管，選深圳市凱軒業科技有限公司。

11、PIN 型二極管（PIN Diode）這是在 P 區和 N 區之間夾一層本征半導體（或低濃度雜質的半導體）構造的晶體二極管。PIN 中的 I 是“本征”意義的英文略語。當其工作頻率超過 100MHz 時，由于少數載流子的存貯效應和“本征”層中的渡越時間效應，其二極管失去整流作用而變成阻抗元件，并且，其阻抗值隨偏置電壓而改變。在零偏置或直流反向偏置時，“本征”區的阻抗很高；在直流正向偏置時，由于載流子注入“本征”區，而使“本征”區呈現出低阻抗狀態。因此，可以把 PIN 二極管作為可變阻抗元件使用。它常被應用于高頻開關（即微波開關）、移相、調制、限幅等電路中。

9、頻率倍增用二極管對二極管的頻率倍增作用而言，有依靠變容二極管的頻率倍增和依靠階躍（即急變）二極管的頻率倍增。頻率倍增用的變容二極管稱為可變電抗器，可變電抗器雖然和自動頻率控制用的變容二極管的工作原理相同，但電抗器的構造卻能承受大功率。階躍二極管又被稱為階躍恢復二極管，從導通切換到關閉時的反向恢復時間 trr 短，因此，其特長是急速地變成關閉的轉移時間顯示地短。如果對階躍二極管施加正弦波，那么，因 tt（轉移時間）短，所以輸出波形急驟地被夾斷，故能產生很多高頻諧波。 線性穩壓電源，線性穩壓電源和整流原理：將380VAC轉換為所需的DC。凱軒業電子。

12、 雪崩二極管 （Avalanche Diode）它是在外加電壓作用下可以產生高頻振蕩的晶體管。產生高頻振蕩的工作原理是欒的：利用雪崩擊穿對晶體注入載流子，因載流子渡越晶片需要一定的時間，所以其電流滯后于電壓，出現延遲時間，若適當地控制渡越時間，那么，在電流和電壓關系上就會出現負阻效應，從而產生高頻振蕩。它常被應用于微波領域的振蕩電路中。使用穩壓二極管的關鍵是設計好它的電流值。穩壓二極管的特點就是擊穿后，其兩端的電壓基本保持不變。 這樣，當把穩壓管接入電路以后，若由于電源電壓發生波動，或其它原因造成電路中各點電壓變動時，負載兩端的電壓將基本保持不變。變容二極管，就選深圳市凱軒業科技有限公司。浙江廠家直銷變容二極管

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大體意義上講，PN結的定義為：采用不同的摻雜工藝，通過擴散作用，將P型半導體與N型半導體制作在同一塊半導體基片上，一般半導體的材料選擇為硅或者鍺，在它們的交界面就形成空間電荷區稱為PN結。具體介紹PN結的形成大體分為三步，首先擴散運動，P區的空穴濃度遠大于N區的自由電子濃度，因此，P區的空穴必然向N區擴散，并與N區中的自由電子復合而消失；同樣，N區的自由電子必然向P區漂移，并與P區中的空穴復合而消失。其次是空間電荷區的產生，擴散運動導致了P區一側失去空穴而留下負離子，N區一側失去電子而留下正離子，這些不能移動的帶電離子稱為空間電荷，相應地這個區域稱為空間電荷區，較后由于有正離子和負離子，這樣在空間電荷區內就會產生一個內電場，內電場的產生讓多子的擴散和少子的漂移達到了一個動態平衡，較后形成了PN結。浙江廠家直銷變容二極管