導致偏移量發生的原因是在htol可靠性驗證過程中閃存參考單元會有空穴丟失，而丟失的空穴是在制作閃存的生產工藝過程中捕獲(引入)的，短期內無法消除。而閃存產品從工程樣品(es，engineeringsample)到客戶樣品(cs，customersample)的時間不容延期。從測試端找出解決方案非常迫在眉睫。本發明實施例的閃存htol測試方法對所述閃存參考單元循環進行編譯和擦除，以在所述閃存參考單元中引入電子；對所述閃存進行htol測試，所述引入電子在所述htol測試過程中存在丟失，以對htol測試過程中所述空穴的丟失形成補償。上海頂策科技智能HTOL系統，自主研發在線實時單顆監測技術。一體化HTOL測試機專賣店

    技術實現要素：本發明提供了一種閃存htol測試方法，以解決閃存htol測試中讀點失效的問題。本發明提供的閃存htol測試方法，包括：提供待測閃存，所述閃存包括閃存參考單元和閃存陣列單元；所述閃存參考單元中捕獲有空穴；對所述閃存參考單元循環進行編譯和擦除，以在所述閃存參考單元中引入電子；對所述閃存進行htol測試，所述引入電子在所述htol測試過程中部分丟失，以對htol測試過程中所述空穴的丟失形成補償。進一步的，所述閃存參考單元包括襯底、位于所述襯底中的導電溝道、位于所述導電溝道兩側的源極和漏極，位于所述導電溝道上方的柵極單元，所述柵極單元從下到上依次包括隧穿氧化層、浮柵、柵間介質層以及控制柵，所述柵極單元的兩側分布有側墻。 怎樣選擇HTOL測試機參數TH801智能老化系統，實時監測并記錄每顆芯片電壓，電流，頻率，寄存器狀態等數據。

在每個時間點讀點過程為：將閃存參考單元的輸出電流iref與閃存陣列單元的輸出電流i的差值經由讀出放大器進行比對判斷，若iref＜i，則閃存讀出“1”；若iref＞i，則閃存讀出“0”。與現有技術相比，本發明具有如下有益效果：本發明所提供的閃存htol測試方法，對所述閃存參考單元循環進行編譯和擦除，以在所述閃存參考單元中引入電子；對所述閃存進行htol測試，所述引入電子在所述htol測試過程中存在丟失，以對htol測試過程中所述空穴的丟失形成補償。降低了閃存參考單元的輸出電流iref的偏移量，從而使閃存htol讀“0”通過，解決了閃存htol測試中讀點失效的問題，提高閃存質量。附圖說明圖1為本發明實施例的閃存htol測試方法流程圖；圖2為本發明實施例的閃存參考單元的結構示意圖；圖3為本發明實施例的對閃存參考單元進行編譯示意圖；圖4為本發明實施例的對閃存參考單元進行擦除示意圖；圖5為本發明實施例的閃存參考單元未經過編譯和擦除直接進行htol測試的輸出電流iref分布圖；

    MIL-STD-883K-2016：穩態反向偏置S級**少時間有240h到120h共6個級別；B級**少時間352h到12h共10個級別；K級**少時間從700h到320h共6個級別。S級最低溫度從125℃到150℃共6個級別；B級別最低溫度從100℃到250℃；K級最低溫度從100℃到125℃。電壓大小全部為額定電壓B：穩態正向偏置C：穩態功率反向偏置D：并聯勵磁E：環形振蕩器F：溫度加速試驗————————————————版權聲明：本文為CSDN博主「月丶匈」的原創文章，遵循，轉載請附上原文出處鏈接及本聲明。原文鏈接：blog./qq_36671997/article/details/。 TH801智能老化系統，方便靈活配置芯片狀態、施加信號，提高HTOLdebug及Setup效率。

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一種閃存htol測試方法，包括：提供待測閃存，所述閃存包括閃存參考單元和閃存陣列單元；所述閃存參考單元中捕獲有空穴；對所述閃存參考單元循環進行編譯和擦除，以在所述閃存參考單元中引入電子；對所述閃存進行htol測試，所述引入電子在所述htol測試過程中部分丟失，以對htol測試過程中所述空穴的丟失形成補償。具體的，待測閃存在同一閃存芯片(die)中的不同區域分布有閃存參考單元和閃存陣列單元，閃存陣列單元用于存儲數據，閃存參考單元用于提供參考閾值電壓以區分閃存陣列單元的狀態。提供的待測閃存在其生產工藝過程中易在閃存參考單元中捕獲。引入)空穴，所述空穴在htol測試過程中存在丟失。圖2為本發明實施例的閃存參考單元的結構示意圖，一體化HTOL測試機專賣店

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