在粒徑控制方面，產品采用亞微米級（次微米）金粒子，通過精確的粒徑控制技術實現了均勻的粒徑分布。這種亞微米級的粒徑設計不僅賦予了材料優異的低溫燒結特性，還確保了燒結后形成的金層具有良好的致密性和均勻性。材料的燒結機理體現了 TANAKA 在納米材料科學領域的技術深度。當 AuRoFUSE?被加熱至 200℃時，溶劑會先蒸發，即便不施壓，Au 粒子也可實現燒結結合，獲得約 30MPa 的充分接合強度。這種無壓燒結特性不僅簡化了工藝要求，還降低了對設備的要求。更重要的是，產品具有優異的高溫穩定性，可在 1064℃的高溫下保持穩定性能。這一特性使得 AuRoFUSE?特別適合在高溫環境下工作的功率器件和傳感器應用。。。高效的燒結金膠，無鹵素配方，提高生物相容性。如何分類燒結金膠前景

2013年12月起，田中貴金屬工業開始提供使用次微米級金粒子膏材"AuRoFUSE?"，通過高精密網版印刷法在基板上一次印刷即可形成微細復合圖案的技術。這一技術使得復雜的MEMS結構能夠通過簡單的印刷工藝實現，很好降低了制造成本和工藝復雜度。在MEMS代工制造領域，AuRoFUSE?技術也發揮著重要作用。田中貴金屬工業與MEMSCORE公司簽訂共同研發協議，針對次微米大小金粒子MEMS裝置的圖案形成技術展開技術合作，建立了從MEMS零件的試作到安裝的代工制造廠能力。這種合作模式為MEMS廠商提供了從材料研發到設備組裝的一站式解決方案。12新型燒結金膠常用知識創新的燒結金膠，降低能耗，用于 MEMS 氣密封裝。

在 LED 封裝領域，AuRoFUSE?技術成功解決了高功率 LED 的散熱和熱膨脹匹配問題，使得 LED 模組能夠直接與低成本的金屬基板接合，大幅降低了系統成本；在功率器件領域，產品的高溫穩定性（可達 300℃以上）使其成為 SiC、GaN 等第三代半導體器件的理想封裝材料；在傳感器和 MEMS 領域，產品的高真空密封性能（氦氣泄漏率達 1.0×10^-13 Pa?m3/s）和精密圖案形成能力為品牌傳感器制造提供了關鍵技術支撐。在 LED 封裝領域，AuRoFUSE?技術成功解決了高功率 LED 的散熱和熱膨脹匹配問題，使得 LED 模組能夠直接與低成本的金屬基板接合，大幅降低了系統成本；在功率器件領域，產品的高溫穩定性（可達 300℃以上）使其成為 SiC、GaN 等第三代半導體器件的理想封裝材料；在傳感器和 MEMS 領域，產品的高真空密封性能（氦氣泄漏率達 1.0×10^-13 Pa?m3/s）和精密圖案形成能力為品牌傳感器制造提供了關鍵技術支撐。

在MEMS 氣密封裝應用中，AuRoFUSE?技術具有獨特的優勢。"AuRoFUSE?" 膏材所形成的密封外框，經熱壓（200℃、100MPa）使金粒子燒結體變形后，組織變得更加精密，從而實現高真空氣密封裝，氦氣泄漏率可達 1.0×10^-13 Pa?m3/s。這一極高的密封性能對于需要高真空環境的 MEMS 器件至關重要。產品在 MEMS 應用中的另一個重要優勢是其圖案形成能力。2013 年 12 月起，田中貴金屬工業開始提供使用次微米級金粒子膏材 "AuRoFUSE?"，通過高精密網版印刷法在基板上一次印刷即可形成微細復合圖案的技術。這一技術使得復雜的 MEMS 結構能夠通過簡單的印刷工藝實現，很好降低了制造成本和工藝復雜度。燒結金膠創新的，應用于光通信器件，實現精密鍵合。

TANAKA燒結金膠在工藝技術層面展現出了重要的創新優勢，這些優勢直接轉化為客戶在生產效率和成本控制方面的實際收益。產品的工藝兼容性極強，可以在大氣或氣體環境中進行鍵合，鍵合后無需清洗。這一特性大幅簡化了工藝流程，降低了生產成本。在熱壓工藝方面，產品表現出了優異的可控性。以AuRoFUSE?預制件為例，在200℃、20MPa、10秒的熱壓條件下，雖然在壓縮方向上顯示出約10%的收縮率，但在水平方向上較少變形，可用作接合強度足以承受實際應用的Au凸塊。這種可控的變形特性確保了鍵合的精度和可靠性。微聯實業有限公司可靠的燒結金膠，增強耐腐蝕性，操作簡便。通用的燒結金膠市場價格

可靠的燒結金膠，操作簡便，增強耐腐蝕性。如何分類燒結金膠前景

TANAKA燒結金膠在工藝技術層面展現出了重要的創新優勢，這些優勢直接轉化為客戶在生產效率和成本控制方面的實際收益。產品的工藝兼容性極強，可以在大氣或氣體環境中進行鍵合，鍵合后無需清洗。這一特性大幅簡化了工藝流程，降低了生產成本。在熱壓工藝方面，產品表現出了優異的可控性。以AuRoFUSE?預制件為例，在200℃、20MPa、10秒的熱壓條件下，雖然在壓縮方向上顯示出約10%的收縮率，但在水平方向上較少變形，可用作接合強度足以承受實際應用的Au凸塊。這種可控的變形特性確保了鍵合的精度和可靠性。，，如何分類燒結金膠前景