鐵電場效應管（FeFET）是一種新型的場效應管，結合了鐵電材料和 MOSFET 的優勢。嘉興南電在鐵電場效應管領域進行了深入研究和開發。鐵電場效應管具有非易失性存儲特性，能夠在斷電后保持存儲的數據，同時具有高速讀寫和低功耗的優點。在存儲器應用中，鐵電場效應管可替代傳統的 Flash 存儲器，提供更高的讀寫速度和更長的使用壽命。在邏輯電路中，鐵電場效應管可實現非易失性邏輯，減少系統啟動時間和功耗。嘉興南電的鐵電場效應管產品采用先進的鐵電材料和工藝，實現了優異的存儲性能和可靠性。公司正在積極推進鐵電場效應管的產業化應用，為下一代電子設備提供創新解決方案。功率場效應管 Idmax=60A，Vds=100V，電動車控制器大電流場景穩定運行。導通場效應管

在逆變器應用中，選擇合適的場效應管至關重要。嘉興南電的逆變器 MOS 管系列在耐壓、電流容量和開關速度方面進行了優化。例如在 400V 耐壓等級產品中，導通電阻低至 5mΩ，能夠承受大電流沖擊而保持低功耗。公司的 MOS 管還采用了特殊的抗雪崩設計，能夠在短路情況下安全關斷，保護逆變器系統。在實際應用中，嘉興南電的 MOS 管在光伏逆變器中的效率表現比同類產品高 1.5%，在不間斷電源（UPS）中的可靠性提升了 30%。此外，公司還提供完整的逆變器解決方案，包括驅動電路設計、散熱方案優化和 EMC 設計指導，幫助客戶快速開發高性能逆變器產品。mos管vgs電壓高功率密度場效應管 3D 堆疊封裝，功率密度提升 2 倍，體積小。

增強型絕緣柵場效應管是常見的 MOSFET 類型，嘉興南電的增強型 MOSFET 系列具有多種優勢。增強型絕緣柵場效應管在柵源電壓為零時處于截止狀態，只有當柵源電壓超過閾值電壓時才開始導通。這種特性使其在開關電路中應用。嘉興南電的增強型 MOSFET 采用先進的 DMOS 工藝，實現了極低的閾值電壓（通常為 2-4V），降低了驅動難度。在高頻開關應用中，公司的增強型 MOSFET 具有快速的開關速度和低柵極電荷，減少了開關損耗。例如在 DC-DC 轉換器中，使用嘉興南電的增強型 MOSFET 可使轉換效率提高 1-2%。此外，公司的增強型 MOSFET 還具有良好的溫度穩定性和抗雪崩能力，確保了在不同工作環境下的可靠性。

場效應管功耗是評估其性能的重要指標之一，嘉興南電的 MOS 管在降低功耗方面具有優勢。場效應管的功耗主要包括導通功耗和開關功耗兩部分。導通功耗與導通電阻和電流的平方成正比，開關功耗與開關頻率、柵極電荷和電壓的平方成正比。嘉興南電通過優化芯片設計和工藝，降低了 MOS 管的導通電阻和柵極電荷。例如在低壓大電流 MOS 管中，導通電阻可低至 1mΩ 以下，減少了導通功耗。在高頻開關應用中，柵極電荷的降低使開關速度加快，減少了開關損耗。在實際應用中，使用嘉興南電的 MOS 管可使系統總功耗降低 20-30%，提高了能源利用效率，延長了設備使用壽命。高可靠性場效應管 1000 小時老化測試，工業級品質保障。

場效應管三級是指場效應管的三個電極：柵極（G）、源極（S）和漏極（D）。對于 n 溝道 MOS 管，當柵極電壓高于源極電壓時，在柵極下方形成 n 型導電溝道，電子從源極流向漏極，形成漏極電流。對于 p 溝道 MOS 管，當柵極電壓低于源極電壓時，在柵極下方形成 p 型導電溝道，空穴從源極流向漏極，形成漏極電流。嘉興南電的 MOS 管在電極結構設計上進行了優化，降低了電極電阻和寄生電容，提高了器件的高頻性能。在功率 MOS 管中，源極和漏極通常采用大面積金屬化設計，以降低接觸電阻，提高電流承載能力。此外，公司的 MOS 管在柵極結構上采用了多層金屬化工藝，提高了柵極的可靠性和穩定性。圖騰柱驅動 MOS 管配半橋芯片，開關損耗降低 30%，效率提升。導通場效應管

低漏電場效應管漏電流 < 1μA，電池設備待機功耗低至微瓦級。導通場效應管

單端甲類場效應管前級以其溫暖、細膩的音色特質受到音頻發燒友的喜愛。嘉興南電的 MOS 管在這類前級電路中表現出色。例如使用 2SK389 作為輸入級，可獲得極低的噪聲和高輸入阻抗，非常適合與高內阻的信號源匹配。在電路設計中，采用純甲類放大方式，確保信號在整個周期內都得到線性放大，避免了交越失真。通過優化的電源濾波和退耦電路，減少了電源噪聲對音質的影響。嘉興南電的 MOS 管還具有良好的溫度穩定性，在長時間工作下仍能保持音色的一致性。在實際聽音測試中，使用嘉興南電 MOS 管的單端甲類前級表現出豐富的音樂細節和自然的音色過渡，為后級功放提供了高質量的音頻信號。導通場效應管