在所述互連層正上方形成多個mtj器件，其中，所述多個mtj器件包括工作mtj器件和一個或多個調節mtj器件，所述一個或多個調節mtj器件被配置為選擇性地控制流至所述工作mtj器件的電流；以及在所述多個mtj器件上方形成互連層，其中，所述互連層和所述互連層中的一個或兩個限定位線和一條或多條字線。附圖說明當結合附圖進行閱讀時，從以下詳細描述可佳理解的各個方面。應該指出，根據工業中的標準實踐，各個部件未按比例繪制。實際上，為了清楚的討論，各個部件的尺寸可以任意地增大或減小。出了具有調節訪問裝置的存儲器電路的一些實施例的示意圖，該調節訪問裝置被配置為選擇性地對操作磁隧道結(mtj)器件提供訪問。出了具有調節訪問裝置的存儲器電路的一些額外實施例的示意圖，該調節訪問裝置包括調節mtj器件，該調節mtj器件被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問。圖a至圖c示出了圖的公開的存儲器電路的讀取和寫入操作的一些實施例的示意圖。圖a至圖b示出了對應于圖的公開的存儲器電路的集成芯片的截面圖的一些實施例。圖a至圖b示出了具有調節訪問裝置的存儲器電路的一些額外實施例。該調節訪問裝置被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問。進口的現貨集成電路供應，找深圳市美信美。長春計算機集成電路芯片

    多個導電互連層a至c可以包括銅、鋁、鎢、碳納米管等。存儲單元a,和存儲單元b,分別包括調節訪問裝置和工作mtj器件。調節訪問裝置連接至限定多條字線wl至wl的互連層a。多條字線wl至wl中的兩個連接至圖的存儲器陣列的一行內的相應存儲單元。例如，字線wl至wl可以連接至行中的存儲單元a,，并且字線wl至wl可以連接至行中的存儲單元b,。在一些實施例中，多條字線wl至wl可以與襯底分隔開非零距離d。互連層b布置在調節訪問裝置和工作mtj器件之間。工作mtj器件進一步連接至限定位線bl的第三互連層c。位線bl連接至布置在存儲器陣列的一列內的存儲單元內的工作mtj器件。例如。位線bl連接至圖的存儲器陣列的列內的工作mtj器件。在一些實施例中，工作mtj器件通過包括多個導電互連層a至c并且不延伸穿過襯底的連續導電路徑連接在位線blz(z＝,)和字線wlx(x＝,)之間。在一些實施例中，工作mtj器件不位于被配置為控制對工作mtj器件的訪問的存取晶體管器件正上方。在一些實施例中。調節訪問裝置包括調節mtj器件和調節mtj器件。調節mtj器件、調節mtj器件和工作mtj器件分別包括垂直布置在底電極通孔和頂電極通孔之間的mtj。在一些實施例中，頂電極通孔可以通過通孔(例如。射頻集成電路技術深圳市美信美科技有限公司，只做好的集成電路現貨供應商。

    字線解碼器和偏置電路可以包括相同的電路元件(即，字線解碼器可以將信號施加至偏置電壓線bvly)。在操作期間，為了訪問工作mtj器件，偏置電路和字線解碼器可以將電壓施加至偏置電壓線bvly和字線wlx，以設置存儲器陣列的行內的調節mtj器件的值。隨后，位線解碼器可以施加位線電壓，該位線電壓允許訪問多個存儲單元a,至c,中的選擇的存儲單元，而不訪問多個存儲單元a,至c,中的未選擇的存儲單元。例如，為了將數據寫入存儲單元a,內的工作mtj器件，可以將組偏置電壓施加至字線wl和偏置電壓線bvl。組偏置電壓賦予行內的調節訪問裝置低電阻。可以將組偏置電壓施加至其它行中的偏置電壓線bvl和字線wl，以賦予其它行內的調節訪問裝置高電阻。然后將位線電壓施加至位線bl。存儲單元a,內的調節訪問裝置的低電阻使得大電流(例如，大于切換電流)流過存儲單元a,內的工作mtj器件，同時存儲單元a,內的調節訪問裝置的高電阻使得小電流(例如，小于切換電流)流過存儲單元a,內的工作mtj器件。圖b示出了對應于圖a的存儲器電路的集成電路的一些實施例的截面圖。圖a至圖b示出了包括存儲器電路的集成芯片的一些額外實施例，該存儲器電路具有被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問的調節訪問裝置。

    國內貿易等。本公司主營推廣銷售AD（亞德諾）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國際有名品牌集成電路。產品廣泛應用于：汽車、通信、消費電子、工業控制、醫療器械、儀器儀表、安防監控等領域。下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本申請的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖示出依據本申請一實施例的單芯片集成電路封裝結構；圖示出依據本申請另一實施例的雙芯片集成電路封裝結構。具體實現方式為了使本技術領域的人員更好地理解本申請方案，下面將結合本申請實施例中的附圖，對本申請實施例中的技術方案進行清楚地描述，顯然，所描述的實施例是本申請一部分的實施例，而不是全部的實施例。基于本申請中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都應當屬于本申請保護的范圍。下面結合本申請實施例的附圖，對本實用新型實施例的技術方案描述如下。圖示出依據本申請一實施例的單芯片集成電路封裝結構，包括上基板、元件及下基板。上基板上的上層金屬層、下層金屬層以及下層金屬層上的聯結pad6、、。集成電路產業它不僅包含集成電路市場，也包括IP核市場、EDA市場、芯片代工市場、封測市場。

    使得在所述印刷電路裝配件中的每個印刷電路裝配件上的散熱器的頂表面與另一個印刷電路裝配件上的熱接口材料層接觸，并且與所述熱接口材料層熱耦聯。圖5是移除了雙列直插式存儲模塊組件的印刷電路裝配件的圖。圖6是印刷電路裝配件的圖，包括已安裝在印刷電路板插座中的雙列直插式存儲模塊組件200并且包括已附接的分流管。圖7a和圖7b示出了根據一個實施例的、特征在于外部鉸鏈的雙列直插式存儲模塊組件。圖8a和圖8b示出了根據一個實施例的、特征在于內部鉸鏈的雙列直插式存儲模塊組件。圖9示出了根據一個實施例的流程。附圖是非詳盡的，并且不限制本公開至所公開的精確形式。具體實施方式諸如雙列直插式存儲模塊(dimm)的集成電路產生大量的熱量，特別是在高密度配置中。現有許多技術對集成電路進行冷卻，但是存在許多與這些現有技術相關的缺點。空氣冷卻是嘈雜的，并且因此當靠近辦公室人員/在工作環境中布置時是不期望的。當需要維護雙列直插式存儲模塊時，液體浸入式冷卻是雜亂的。另一種方法使用將雙列直插式存儲模塊封裝在散熱器中的雙列直插式存儲模塊組件，所述散熱器熱耦聯至循環制冷液體的冷卻管。所公開的實施例以兩個系統板為一對。美信美科技是公認的好的供貨商。長沙特大規模集成電路

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    提供的通過mtj器件的電流必須大于切換電流(即，臨界切換電流)。不大于切換電流的電流將不會導致電阻狀態之間的切換，并且因此不會將數據寫入存儲器陣列內的mtj器件。在一些實施例中。公開的寫入操作可以在調節mtj器件(例如，圖中的至)處于高電阻狀態來實施，以在選擇和未選擇的單元之間提供隔離。a的示意圖所示，寫入操作的步驟通過將數據狀態寫入存儲器陣列的行中的存儲單元a,和第三存儲單元a,內的工作mtj器件來實施。通過將非零偏置電壓v(例如，v)施加至字線wl和wl，將非零偏置電壓v(例如，v)施加至字線wl，將第三非零偏置電壓v(例如，v)施加至位線bl和bl，并且將第四非零偏置電壓v(例如，v)施加至位線bl來實施寫入操作的步驟。非零偏置電壓v(例如，v)和第三非零偏置電壓v(例如，v)之間的差異使得電流i流過存儲單元a,和第三存儲單元a,內的調節mtj器件。電流i小于切換電流isw，使得存儲單元a,和第三存儲單元a,內的調節mtj器件的狀態不變。然而，來自調節mtj器件的電流加在一起，使得為電流i的兩倍的電流流過存儲單元a,和第三存儲單元a,內的工作mtj器件。電流i的兩倍的電流大于切換電流isw，以將數據狀態寫入存儲單元a,和第三存儲單元a,內的工作mtj器件。存儲單元a。長春計算機集成電路芯片