該ic芯片與該散熱基板的熱接口材料層90％以上成分為銀，孔隙率小于25％，且厚度為1～15μm。藉此，本發(fā)明具有下列功效：1.本發(fā)明使用的熱接口材料將不會產(chǎn)生任何介金屬化合物，故不會因制程(環(huán)境)溫度而脆化，且在高溫下(＜800℃)相當(dāng)穩(wěn)定。2.本發(fā)明使用的熱接口材料在完成熱處理后含少量有機(jī)物(＜1％)，且99％以上為純銀，故長時間使用下將無有機(jī)揮發(fā)物(volatileorganiccompounds,voc)產(chǎn)生。3.本發(fā)明所使用的熱接口材料為純銀，以高純度銀做異質(zhì)界面接合用材料，其導(dǎo)熱系數(shù)為錫銀銅合金(無鉛焊錫)的兩倍以上，如表1所示。表1本發(fā)明與現(xiàn)有錫銀銅合金焊料的比較錫銀銅焊料本發(fā)明導(dǎo)電率(mω-cm)～(w/m-k)60>2004.本發(fā)明不含鉛、鎘、鹵素等毒性物質(zhì)。5.目前高功率模塊的工作溫度已上升至150℃，次世代高功率模塊的工作溫度將上升至200℃，則本發(fā)明所使用的熱接口材料為純銀，將可取代無鉛焊錫的錫銀銅合金與傳統(tǒng)焊錫的鉛錫與銀鉛錫合金。6.本發(fā)明奈米銀粒子與微米銀粒子的比例為9:1～1:1，且因主要組成銀粒子的尺寸為100nm以下的奈米銀粒子，故所使用的熱處理溫度低于250℃，可避免電子組件在封裝制程中受到高溫而破壞。7.本發(fā)明采用全新非接觸式探針點膠技術(shù)。它由高速低功耗的管芯和優(yōu)化的門極驅(qū)動電路以及快速保護(hù)電路構(gòu)成。山東常見Mitsubishi三菱IPM模塊現(xiàn)貨
該奈米銀粒子與該微米銀粒子的重量比為9:1～1:1，而該非接觸式探針點膠設(shè)備包含一組傳感器，是由重量感測組件、電容及電阻建構(gòu)而成的自動回饋控制系統(tǒng)；步驟二：將涂布于該散熱基板上的銀基奈米漿料進(jìn)行加溫，并持溫一段時間；步驟三：將一集成電路芯片放置于該散熱基板的銀基奈米漿料上方，形成一組合對象；以及步驟四：利用一熱壓機(jī)對該組合對象進(jìn)行加壓與加熱的熱壓接合制程，燒結(jié)該銀基奈米漿料，以形成該ic芯片與該散熱基板的熱接口材料層，其中該熱壓機(jī)的加壓壓力為1～10mpa，加熱到210～300℃，并維持上述壓力與溫度30～120分鐘后冷卻至室溫。于本發(fā)明上述實施例中，該散熱基板的材質(zhì)為銀、銅、金、或鎳之合金，或是材質(zhì)為陶瓷、或氧化硅的基板上具有銀、金、鎳、鈦的合金或氮化物鍍層。于本發(fā)明上述實施例中，該步驟一亦可以網(wǎng)版印刷、或刮刀涂布方式將該銀基奈米漿料涂布在該散熱基板上。于本發(fā)明上述實施例中，該銀基金屬粒子是以化學(xué)合成法合成兩種以上粒徑的銀粒子并混合。于本發(fā)明上述實施例中，該有機(jī)酸為庚酸或丙酸。于本發(fā)明上述實施例中，該有機(jī)銀離子化合物為銀前驅(qū)物，主要含有長碳鏈脂肪酸的官能基與銀離子。于本發(fā)明上述實施例中。山東常見Mitsubishi三菱IPM模塊現(xiàn)貨具有GTR(大功率晶體管)高電流密度、低飽和電壓和耐高壓的優(yōu)點。
本實用新型涉及功率模塊技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種提高生產(chǎn)效率的功率模塊支架及其功率模塊機(jī)構(gòu)。背景技術(shù)：汽車控制器大功率電子元器件集成方式率模塊本身具有安裝孔位，可以直接安裝在控制器的散熱體上，但是單個的功率模塊由于需要和pcb板進(jìn)行裝配和定位，且很多的控制器上需要用多個該功率模塊，一般的控制器上需要一個一個的去安裝該功率模塊且每一個都需要單獨(dú)進(jìn)行固定和定位，由此導(dǎo)致生產(chǎn)效率低下。技術(shù)實現(xiàn)要素：本實用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種提高生產(chǎn)效率的功率模塊支架及其功率模塊機(jī)構(gòu)。為實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用以下技術(shù)方案：一種功率模塊支架，其包括：支架本體，所述支架本體上設(shè)有多個用于固定功率模塊的安裝位，所述安裝位包括：容納槽，設(shè)于容納槽的底壁的定位柱；其中，相鄰安裝位之間的連接處還設(shè)有連接柱，通過所述連接柱將功率模塊支架連接于pcb板。其中，所述容納槽的側(cè)邊還設(shè)有用于固定功率模塊的引腳的引腳槽。其中，所述連接柱由容納槽的底部向外伸出，定位柱上還設(shè)有通孔。其中，所述支架本體上還設(shè)有若干加強(qiáng)筋。一種功率模塊機(jī)構(gòu)，其包括如上任意一項所述的功率模塊支架。具體的。
本實用新型屬于電力電子的技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種IGBT功率模塊。背景技術(shù)：隨著我國工業(yè)技術(shù)的迅猛發(fā)展，大型電力電子設(shè)備越來越廣泛的應(yīng)用于各行各業(yè)，功率等級和功率密度也越來越高，作為大型電力電子設(shè)備部件的IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor，絕緣柵雙極型晶體管)，由于使用環(huán)境特殊，要求IGBT功率模塊具有結(jié)構(gòu)合理、維護(hù)方便、功率密度等級高等特點。因此，IGBT功率模塊常常被業(yè)界設(shè)計成一個功能完備的模塊單元。但現(xiàn)有的IGBT功率模塊設(shè)計大部分是由相互分立的IGBT元件并聯(lián)再結(jié)合相當(dāng)數(shù)量的直流母線電容組成，結(jié)構(gòu)松散、簡單，使得現(xiàn)有IGBT功率模塊存在如下缺陷：1、由于電力電子設(shè)備整機(jī)結(jié)構(gòu)體積要求越來越緊湊，并聯(lián)的IGBT元件和直流母線電容數(shù)量受到相應(yīng)的限制，故不能滿足越來越來高功率等級和高密度的實際需求；2、解決濾波電容散熱問題時，由于結(jié)構(gòu)設(shè)計不合理，導(dǎo)致散熱成本過高；3、現(xiàn)有IGBT功率模塊一般主要有多個分立的IGBT元件并聯(lián)，由于均流效果差，經(jīng)常導(dǎo)致IGBT發(fā)熱、Vce尖峰電壓過高，引起IGBT失效，降低整體功率單元的壽命，增加運(yùn)維成本；4、不增加或者增加不合適的放電電阻，增加拆裝IGBT功率模塊時的風(fēng)險或成本。智能功率模塊(IPM)是Intelligent Power Module的縮寫。
20-電流檢測區(qū)域；201-第二發(fā)射極單元；202-第三發(fā)射極單元；30-接地區(qū)域；100-公共柵極單元；200-公共集電極單元；40-檢測電阻；2-一發(fā)射極單元金屬；3-空穴收集區(qū)電極金屬；4-氧化物；5-多晶硅；6-n+源區(qū)；7-p阱區(qū)；8-空穴收集區(qū)；9-n型耐壓漂移層；11-p+區(qū)；12-公共集電極金屬；13-接觸多晶硅；50-半導(dǎo)體功率模塊；51-igbt芯片；52-驅(qū)動集成塊；521-模塊引線端子；522-導(dǎo)線；60-dcb板。具體實施方式為使本發(fā)明實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。如圖1所示，igbt器件是由bjt(bipolarjunctiontransistor，雙極型三極管)和mos(metaloxidesemiconductor，絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件。在實際應(yīng)用中，igbt器件兼有mosfet(metal-oxide-semiconductorfield-effecttransistor，金氧半場效晶體管)的高輸入阻抗和gtr(gianttransistor，電力晶體管)的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。此時間內(nèi)IPM會門極驅(qū)動，關(guān)斷IPM;故障輸出信號持續(xù)時間結(jié)束后，IPM內(nèi)部自動復(fù)位，門極驅(qū)動通道開放。山東常見Mitsubishi三菱IPM模塊現(xiàn)貨
保護(hù)電路可以實現(xiàn)控制電壓欠壓保護(hù)、過熱保護(hù)、過流保護(hù)和短路保護(hù)。山東常見Mitsubishi三菱IPM模塊現(xiàn)貨
使每個匯流爪均與IGBT功率組件中的２個IGBT元件相連接。IGBT功率組件上的電流可通過匯流爪繞過其上的大孔和小孔，匯流至交流輸出銅排的輸出端。同時絕緣固定塊設(shè)置在箱體底座上。所述的匯流爪的底邊上形成有缺口22，缺口兩側(cè)的匯流爪上形成有小孔23，缺口上方的匯流爪上形成有與IGBT功率組件連接的大孔24，銅排上形成有多個連接孔25和凹槽26，連接孔與匯流爪上的小孔相對應(yīng)連接，凹槽設(shè)置在連接孔中間并與匯流爪上的大孔相對應(yīng)。放電電阻設(shè)置在鈑金隔板的外表面上，增加整體IGBT功率模塊的安全性。所述的箱體底座的側(cè)壁上形成有把手27，便于拆卸，并且這種把手設(shè)計使得整個箱體起到一個類似風(fēng)道的作用，具有良好的散熱、外觀和裝配性。本實用新型的組裝過程：如圖4所示，先將多個直流母線電容一側(cè)固定在鈑金固定板上組成直流母線電容組件，再將多個直流母線電容另一側(cè)與疊層母排固定，然后將兩組直流母線電容組件通過疊層母排安裝在一絕緣層兩側(cè)的位置。如圖3所示，先將液冷換熱器固定于鈑金隔板上兩個連接口之間，再將IGBT功率組件分別置于液冷換熱器的兩面，然后將一絕緣層置于液冷換熱器上方的鈑金隔板上，并且將放電電阻固定在鈑金隔板上。如圖2所示。山東常見Mitsubishi三菱IPM模塊現(xiàn)貨